功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究 |
| |
引用本文: | 王少辉,赵宇翔.功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究[J].电子产品世界,2022,29(6):39-43. |
| |
作者姓名: | 王少辉 赵宇翔 |
| |
作者单位: | 格力电器(合肥)有限公司,安徽合肥230000 |
| |
摘 要: | 针对变频空调使用缘栅双极型晶体管(IGBT)击穿短路故障进行分析,确认IGBT为过压损坏失效。,空调供电电源出现大的波动影响芯片供电电源质量,电压偏低导致IGBT开通异常,不能及时欠压保护,IGBT长时间处于工作在放大状态,IGBT开通损耗大热击穿失效。本文主要从电路设计,工作环境,模拟验证等方面分析研究,确认IGBT击穿短路失效原因,从设计电路与物料选型优化提升产品工作可靠性。
|
关 键 词: | 驱动芯片 欠压保护 热击穿 共地线 电源波动 谐波 |
Reliability research on thermal breakdown failure of power semiconductor IGBT |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
|