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功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究
引用本文:王少辉,赵宇翔.功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究[J].电子产品世界,2022,29(6):39-43.
作者姓名:王少辉  赵宇翔
作者单位:格力电器(合肥)有限公司,安徽合肥230000
摘    要:针对变频空调使用缘栅双极型晶体管(IGBT)击穿短路故障进行分析,确认IGBT为过压损坏失效。,空调供电电源出现大的波动影响芯片供电电源质量,电压偏低导致IGBT开通异常,不能及时欠压保护,IGBT长时间处于工作在放大状态,IGBT开通损耗大热击穿失效。本文主要从电路设计,工作环境,模拟验证等方面分析研究,确认IGBT击穿短路失效原因,从设计电路与物料选型优化提升产品工作可靠性。

关 键 词:驱动芯片  欠压保护  热击穿  共地线  电源波动  谐波

Reliability research on thermal breakdown failure of power semiconductor IGBT
Abstract:
Keywords:
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