| 一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法 |
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| 引用本文： | 鲁净,王燕,祃龙,余志平.一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法[J].半导体学报,2007,28(4). |
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| 作者姓名： | 鲁净 王燕 祃龙 余志平 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.
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| 关 键 词： | GaN HEMT 建模 参数提取 误差分析 |
A New Small-Signal Modeling and Extraction Method in AlGaN/GaN HEMTs |
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| Lu Jing,Wang Yan,Ma Long,Yu Zhiping.A New Small-Signal Modeling and Extraction Method in AlGaN/GaN HEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4). |
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| Authors: | Lu Jing Wang Yan Ma Long Yu Zhiping |
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| Keywords: | |
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