| 硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心 |
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| 引用本文： | 刘磁辉,姚然,苏剑锋,马泽宇,付竹西.硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心[J].半导体学报,2007,28(2). |
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| 作者姓名： | 刘磁辉 姚然 苏剑锋 马泽宇 付竹西 |
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| 作者单位： | 中国科技大学物理系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
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| 关 键 词： | MOCVD ZnO/p-Si 异质结 缺陷 |
Luminescence and Recombination Centers in ZnO/Si Films |
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| Liu Cihui,Yao Ran,Su Jianfeng,Ma Zeyu,Fu Zhuxi.Luminescence and Recombination Centers in ZnO/Si Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2). |
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| Authors: | Liu Cihui Yao Ran Su Jianfeng Ma Zeyu Fu Zhuxi |
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