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| 等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极 | |
| 引用本文： | 许颂临,庄启星,吴丽云,伍振尧.等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极[J].物理化学学报,1987(6). |
| 作者姓名： | 许颂临 庄启星 吴丽云 伍振尧 |
| 作者单位： | 厦门大学化学系，厦门大学化学系，福建海洋研究所，福建海洋研究所 |
| 摘 要： | 用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物薄膜的几种方法中,等离子体聚合可得到高度交联、均匀、化学稳定性好的超薄膜,且成膜工序简单,已引起重视并取得初步应用。等离子体聚合法修饰导体电极国内外均有报道,但在修饰半导体电极方面的研究甚少。本文探讨了用这种方法在n-GaAs、n-GaP电极上制备聚丙烯腈(PAN)薄膜,并进行 |
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