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| 40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响 | |
| 引用本文： | 郑凯磊,贺光辉.40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响[J].微电子学与计算机,2014(4):100-102,107. |
| 作者姓名： | 郑凯磊 贺光辉 |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子学院; |
| 摘 要： | 反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件. |
| 关 键 词： | 反向窄沟道效应 器件物理特性 标准单元库设计 版图设计 |
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