| 铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 刘湘龙 李晓云 杨 建 丘 泰. 铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 857-861 |
| |
| 作者姓名： | 刘湘龙 李晓云 杨 建 丘 泰 |
| |
| 作者单位： | 南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009 |
| |
| 基金项目： | 江苏高校优势学科建设工程;长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT) |
| |
| 摘 要： | 陶瓷绝缘子沿面闪络现象是制约电真空器件使用的重要原因.以95;的Al2O3陶瓷为基料,掺杂0～1.5wt; Cr2O3,制备铬掺杂的氧化铝陶瓷绝缘子,研究了铬的掺杂含量对该绝缘材料烧结性能和真空绝缘性能的影响.结果表明:Cr3+掺杂显著降低了95;氧化铝陶瓷的气孔率,促进了陶瓷的烧结,并降低了陶瓷的烧结温度,使铬掺杂氧化铝陶瓷的晶粒更加细小均匀.掺杂量为0.5wt;的Cr2O3真空沿面闪络电压最高,达到65 kV/cm,主要原因是铬的掺杂降低了样品的气孔率和二次电子发射系数,过量掺杂造成了更多的晶体结构缺陷,反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压.
|
| 关 键 词： | 氧化铝陶瓷 表面闪络 掺杂 氧化铬, |
Effects of Chromium Doping on the Insulator Properties in Vacuum of Alumina |
| |
| LIU Xiang-long,LI Xiao-yun,YANG Jian,QIU Tai. Effects of Chromium Doping on the Insulator Properties in Vacuum of Alumina[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(4): 857-861 |
| |
| Authors: | LIU Xiang-long LI Xiao-yun YANG Jian QIU Tai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
