| 在Si（111）—（7×7）表面自组织生长二维Ge团簇超晶格 |
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| 作者姓名： | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 |
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| 作者单位： | 闫隆（中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080） 张永平（中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080） 彭毅萍（中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080） 庞世谨（中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080） 高鸿钧（中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:6977001)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | 扫描隧道显微镜(STM) Si(111)-(7×7)表面 二维Ge团簇超晶格 |
| 修稿时间： | 2001-10-08 |
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