| 基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器 |
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| 引用本文： | 陈仲谋,张博. 基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(1): 83-88. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1284 |
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| 作者姓名： | 陈仲谋 张博 |
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| 作者单位： | 西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅服务地方产业化专项(15JF029)；;陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-044,2016KTCQ01-08)； |
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| 摘 要： | 为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流.同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构.基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放...
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| 关 键 词： | 超宽带 高线性度 放大器 GaAs HBT 动态偏置 有源偏置 达林顿结构 |
Ultra-wideband high linearity monolithic amplifier based on InGaP/GaAs HBT process |
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| CHEN Zhongmou,ZHANG Bo. Ultra-wideband high linearity monolithic amplifier based on InGaP/GaAs HBT process[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(1): 83-88. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1284 |
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| Authors: | CHEN Zhongmou ZHANG Bo |
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| Affiliation: | (School of Electronic Engineering,Xi'an University of Posts and Telecommunications,Xi'an 710121,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ultra wideband high linearity amplifier GaAs HBT dynamic bias active bias Darlington structure |
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