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| InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响 | |
| 引用本文： | 吴波,邓军,杨利鹏,田迎,韩军,李建军,史衍丽.InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响[J].红外技术,2014,36(5):415-418. |
| 作者姓名： | 吴波 邓军 杨利鹏 田迎 韩军 李建军 史衍丽 |
| 作者单位： | 吴波:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 邓军:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 杨利鹏:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 田迎:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 韩军:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 李建军:北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124 史衍丽:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金, 编号: U1037602。 |
| 摘 要： | 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。 |
| 关 键 词： | InP 变掺杂 MOCVD InGaAs |
| 收稿时间： | 2013/9/17 |
The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector |
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| Abstract: | |
| Keywords: | InP Varied doping MOCVD InGaAs |