| 纳米尺度延性域干切削KDP晶体的无粘屑研究 |
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| 引用本文： | 陈浩锋,戴一帆,郑子文,彭小强.纳米尺度延性域干切削KDP晶体的无粘屑研究[J].人工晶体学报,2010,39(5):1104-1108. |
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| 作者姓名： | 陈浩锋 戴一帆 郑子文 彭小强 |
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| 作者单位： | 国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 为了避免使用切削液及其相应清洗工艺对KDP晶体表面产生雾化、引入杂质等降低晶体抗激光损伤阈值的不利因素,采用干切削技术对KDP晶体进行超精密切削.在干切削KDP晶体工艺中所遇到的难点是切削屑片易粘附已加工表面,由此产生屑片粘附点难清洗、易雾化等问题.本文提出了基于真空抽屑装置干切削KDP晶体的新工艺,重点解决了干切削工艺下KDP晶体表面粘屑现象,实现了无需清洗、无杂质的加工表面.在选择延性域切削参数条件下,取得了表面粗糙度为2.69 nm(Ra)的无粘屑、超光滑表面.
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| 关 键 词： | KDP晶体 延性域 真空抽屑 干切削 |
Research on Nanometer Ductile Mode Dry Cutting of KDP Crystals with Chip Free |
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| CHEN Hao-feng,DAI Yi-fan,ZHENG Zi-wen,PENG Xiao-qiang.Research on Nanometer Ductile Mode Dry Cutting of KDP Crystals with Chip Free[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(5):1104-1108. |
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| Authors: | CHEN Hao-feng DAI Yi-fan ZHENG Zi-wen PENG Xiao-qiang |
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