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| 反射率小于10-4的1310 nm光电子器件增透膜技术的研究 | |
| 引用本文： | 谭满清,茅冬生,王仲明.反射率小于10-4的1310 nm光电子器件增透膜技术的研究[J].光学学报,1999,19(2):35-238. |
| 作者姓名： | 谭满清 茅冬生 王仲明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
| 摘 要： | 阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉法淀积半导体器件的端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０＾－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术，并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 电子回旋共振等离子体化学汽相沉积法 半导体激光器 增透膜 反射率 |
| 收稿时间： | 1997/9/27 |
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