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| 釆用等离子体化学汽相淀积工艺制作氮化硅薄膜 | |
| 引用本文： | 矢元,久良,李世兴 ,辛永库.釆用等离子体化学汽相淀积工艺制作氮化硅薄膜[J].微电子学,1981(4). |
| 作者姓名： | 矢元 久良 李世兴 辛永库 |
| 作者单位： | 索尼公司半导体事业部，索尼公司半导体事业部 |
| 摘 要： | 近来,由于微细加工技术的进展,半导体器件的高集成化正迅速发展,每块芯片内集成的门数不断增加,并实现了短沟道化。这样,提高半导体器件的可靠性则日益成为重要课题。特别是塑料封装是降低成本的重要手段,因此必须提高处理芯片过程中的钝化技术。 到目前为止,集成电路的最终钝化膜主要采用化学汽相淀积磷硅玻璃。这对防止离子沾污来说,确实具有特别良好的钝化作用,但由于这种钝化膜中有一定浓度 |
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