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| 电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构调控 | |
| 引用本文： | 贺叶露谭兴毅柏浩年.电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构调控[J].原子与分子物理学报,2021(2):146-150. |
| 作者姓名： | 贺叶露谭兴毅柏浩年 |
| 作者单位： | 1.重庆三峡学院教师教育学院404100; |
| 摘 要： | 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了外电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构的调控,发现当层间距d=2.83 ?时异质结结构最稳定,且表现为Ⅱ型间接带隙半导体,其带隙为0.68 eV.通过施加垂直平面方向电场可有效调控PtO2/MoS2异质结电子结构,当外电场为-1V/?时,发生半导体-金属相变... |
| 关 键 词： | PtO2/MoS2异质结 电场 可控带隙 电子结构 第一性原理 |
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