| 高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究 |
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| 引用本文： | 王世兴,刘卫,张立德. 高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究[J]. 低温物理学报, 1999, 21(2): 88-92 |
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| 作者姓名： | 王世兴 刘卫 张立德 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院固体物理研究所,合肥,230031
2. 中国科技大学内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。
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| 关 键 词： | 低频内耗 弛豫峰 高Tc 氧化物 超导体 激活能 |
THE STUDY OF THE ACTIVATION ENERGY ASSOCIATED WITH LOW-FREQUENCY RELAXATION INTERNAL-FRICTION PEAKS OF THE HIGH Tc OXIDE La2CuO4+δ |
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| Wang Shi-xing,Lui Wei,Zhang Li-de. THE STUDY OF THE ACTIVATION ENERGY ASSOCIATED WITH LOW-FREQUENCY RELAXATION INTERNAL-FRICTION PEAKS OF THE HIGH Tc OXIDE La2CuO4+δ[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 1999, 21(2): 88-92 |
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| Authors: | Wang Shi-xing Lui Wei Zhang Li-de |
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