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低维半导体器件电阻率的测试理论与实验研究
引用本文:甄聪棉,潘成福,侯登录,庞兆广,李玉现.低维半导体器件电阻率的测试理论与实验研究[J].物理实验,2022(7):22-28.
作者姓名:甄聪棉  潘成福  侯登录  庞兆广  李玉现
作者单位:1. 河北师范大学物理学院;2. 河北师范大学河北省新型薄膜材料重点实验室
摘    要:针对二维和三维半导体器件的电阻率测试进行了详细的理论分析和实验研究.阐述了常规四探针法、改进的四探针法以及两探针法的使用范围,重点讨论了范德堡方法在低维半导体材料电阻率测试中的应用.以NiCo2O4外延薄膜为例,具体分析了材料的导电机理.

关 键 词:电阻率  四探针法  范德堡法  半导体材料
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