| 氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究 |
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| 引用本文： | 韩培德,刘祥林,王晓军,汪度,陆大成,王占国.氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究[J].发光学报,2001,22(Z1):33-37. |
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| 作者姓名： | 韩培德 刘祥林 王晓军 汪度 陆大成 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60086001);国家重点基础研究项目专项支持(G20000683) |
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| 摘 要： | 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究.发现当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄膜为(0001)取向,而当衬底表面是背籽晶面时,生长的氮化镓薄膜则为(0001)取向.
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| 关 键 词： | 极性 GaN/A1 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0033-05 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
Investigation on Polarity of GaN/Al2O3 Heterostructure Grown by MOVPE |
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| HAN Peide,LIU Xianglin,WANG Xiaohui,Wang Du,Lu Dacheng,WANG Zhanguo.Investigation on Polarity of GaN/Al2O3 Heterostructure Grown by MOVPE[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(Z1):33-37. |
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| Authors: | HAN Peide LIU Xianglin WANG Xiaohui Wang Du Lu Dacheng WANG Zhanguo |
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| Abstract: | GaN films grown in pairs on two opposite c-faces of Al2O3 substrate by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) have been studied by scanning electron microscopy (SEM) and converged beam electron diffraction (CBED). It is found that the GaN film on the c-Al2O3 whose c-face is forward to its crystal seed has 0001 ] polarity, and the other film on the c-Al2O3 whose c-face is backward to its crystal seed has 0001] polarity. |
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