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| In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究 | |
| 引用本文： | 王晓亮,孙殿照.In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(1):1-6. |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 摘 要： | 用ＧＳＭＢＥ方法生长出了高质量的具有不同阱宽（ｌ～１１ｎｍ）的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料．通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份．对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量．半高宽数值表明，量子阱界面具有原子级的平整度．与７ｎｍ和９ｎｍ阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为４．５ｍｅＶ． |
| 关 键 词： | 分子束外延，In0．63Ga0．37As／InP，量子阱，光致发光 |
STUDY OF GSMBE GROWTH AND CHARACTERISTICS OF COMPRESSIVELY STRAINED In 0.63 Ga 0.37 As/InP QUANTUM WELLS |
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| Abstract: | |
| Keywords: | molecular beam epitaxy In x Ga 1-x As/InP quantum wells photoluminescence |
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