| InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 于彤军,康香宁,秦志新,陈志忠,杨志坚,胡晓东,张国义.InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响[J].半导体学报,2006,27(z1):20-24. |
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| 作者姓名： | 于彤军 康香宁 秦志新 陈志忠 杨志坚 胡晓东 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院,介观物理和人工微结构国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60676032;60276010;60376025;60276034; |
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| 摘 要： | 对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.
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| 关 键 词： | 光致发光谱 InGaN AlGaN 多量子阱 应变 photoluminescence InGaN |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0020-05 |
| 修稿时间： | 2005年12月16日 |
Strain Effect on Photoluminescence from InGaN/GaN and InGaN/AlGaN MQWs |
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| Yu Tongjun,Kang Xiangning,Qin Zhixin,Chen Zhizhong,Yang Zhijian,Hu Xiaodong,Zhang Guoyi.Strain Effect on Photoluminescence from InGaN/GaN and InGaN/AlGaN MQWs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):20-24. |
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| Authors: | Yu Tongjun Kang Xiangning Qin Zhixin Chen Zhizhong Yang Zhijian Hu Xiaodong Zhang Guoyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence InGaN AlGaN MQWs strain |
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