| 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导 |
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| 引用本文： | 张德恒,刘云燕,张德骏.用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导[J].物理学报,2001,50(9):1800-1804. |
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| 作者姓名： | 张德恒 刘云燕 张德骏 |
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| 作者单位： | 张德恒（山东大学物理系济南 250100）
刘云燕（山东大学物理系济南 250100）
张德骏（山东大学物理系济南 250100） |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金(批准号:Y96A12016)资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长.
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| 关 键 词： | GaN MOCVD 光电导 光响应 |
| 修稿时间： | 2000年9月24日 |
The UV Photoconductivity of n-Type GaN Films Deposited by MOCVD |
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