Novel studies on the temperature-dependence of electric and photovoltaic properties of thin CdSe films for solar cells

Thin CdSe films were prepared under vacuum at different glass substrate temperatures. The effects of substrate heating and temperature on the X-ray diffraction patterns, electrical, DC current-voltage characteristics and photovoltaic properties were investigated in detail. the results obtained were interpreted mathematically, which led to a hopping conduction mechanism. Valuable semiconducting parameters were evaluated for the thin films investigated, for their useful application in photovoltaic or solar cell industries: surface charge density (4.8×10¹² cm^–2), thickness of depletion layer (7.4×10^–7 cm) and donor concentration (6.5×10¹⁸cm^–3).

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Zusammenfassung Dünne Cd-Se-Filme wurden unter Vakuum bei verschiedenen Glassubstrattemperaturen hergestellt. Die Auswirkung der Substraterhitzung und -temperatur auf die röntgendiffraktogramme, die elektrische und Gleichstromspannungscharakteristik und die Sperrschichtphotoeigenschaften wurden detailliert untersucht. Die erhaltenen Ergebnisse wurden mathematisch interpretiert, was zu einem Sprungleitungsmechanismus führte. Halbleiter-Parameter der Untersuchten dünnen Filme wurden für den Gebrauch in der Sperrschicht- und Solarzellen herstellenden Industrie ermittelt: Dichte der Oberflächenladung (4,8·10¹² cm^–2), Dicke der trägerverarmten Schicht (7,4·10^–7 cm) und Donorkonzentration (6,5·10¹⁸ cm^–3).

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CdSe . , , . , . , : 4,8·10^{12 –2}, 7,4·10^–7 6,5·10^{18 –3}.