| 单层haeckelites结构Ⅲ族金属硫族化合物MX(M=Al,Ga,In;X=S,Se,Te) |
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| 引用本文： | 刘慧莹,王树申,林恒福.单层haeckelites结构Ⅲ族金属硫族化合物MX(M=Al,Ga,In;X=S,Se,Te)[J].物理学报,2020(14):189-195. |
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| 作者姓名： | 刘慧莹 王树申 林恒福 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学国际钢铁研究院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11804260,11747154,11704292)资助的课题. |
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| 摘 要： | 通过详尽的第一性原理计算,提出了一类新型的二维III族金属硫族化合物MX(M=Al,Ga,In;X=S,Se,Te)的同素异形体.这类化合物的结构是由正方形和八边形环构成的.计算得到的结合能和声子谱表明,所有的结构都同时具有能量和动力学稳定性.所有结构都是间接带隙半导体,其带隙大小随X原子由S到Se到Te的变化而减小.计算结果表明这类材料具有很广的带隙范围,从1.88到3.24 eV,同时它们的能带结构可以通过双轴应变进一步调节.这些结构具有丰富的电子结构性质和可调的带隙,有可能被用于未来纳米电子学领域.
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| 关 键 词： | Ⅲ族金属硫族化合物 电子结构 第一性原理计算 |
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