| 利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化 |
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| 作者姓名： | 罗长维 仇猛淋 王广甫 王庭顺 赵国强 华青松 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学核科学与技术学院,射线束教育部重点实验室;2. 北京市辐射中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11905010)；;中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2018NTST04)；;中国博士后科学基金(批准号:2019M650526)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 在北京师范大学GIC4117 2×1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H+注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺陷的恢复作用.实验表明,在2 MeV H+的辐照下,晶体内部产生的点缺陷会快速移动、聚集成团簇,从而抑制发光.473 K退火后的受辐照ZnO晶体内仍存在着大量的缺陷和团簇,而这些缺陷和团簇作为非辐射中心抑制着ZnO晶体的发光.800 K的退火处理可以显著地分解辐照过程中形成的团簇,也可以帮助点缺陷回到晶格位置,从而减少晶体内部的不平衡缺陷,提高晶体的结晶度,使退火后的受辐照ZnO样品IBIL光强大幅度增强.
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| 关 键 词： | 离子激发发光 退火 ZnO |
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