|
|||||
|
|
| 面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述 | |
| 作者姓名： | 潘祚坚 陈志忠 焦飞 詹景麟 陈毅勇 陈怡帆 聂靖昕 赵彤阳 邓楚涵 康香宁 李顺峰 王琦 张国义 沈波 |
| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室;2. 北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室;3. 北京大学东莞光电研究院 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400602)；;国家自然科学基金(批准号:61674005)；;广东省重点科技计划(批准号:2016B010111001)；;河南省科技计划(批准号:161100210200)资助的课题~~； |
| 摘 要： | 随着显示技术的不断发展,高度微型化和集成化成为显示领域主要的发展趋势.微米发光二极管(lightemitting diode, LED)显示是一种由微米级半导体发光单元组成的阵列显示技术,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等方面相比于液晶显示和有机发光二极管显示均具有巨大的优势,应用前景十分广阔,同时也被视为下一代显示技术.目前商用的5G通信技术与显示领域的虚拟现实、增强现实和超高清视频等技术的结合,将进一步推动微米LED显示产业的发展.在面临发展机遇的同时,微米LED显示领域也存在着一些基础科学技术问题需要解决.本文主要总结了微米LED显示从2000年以来的一些研究进展,重点介绍了微米LED显示在外延生长和芯片工艺两方面存在的主要问题和可能的解决方案.在外延生长方面主要介绍了缺陷控制、极化电场控制和波长均匀性等研究进展,芯片工艺方面主要介绍了全彩色显示、巨量转移和检测技术等进展情况,并对微米LED显示在这两方面的发展趋势进行了讨论. |
| 关 键 词： | 微米发光二极管 显示 外延 芯片 检测 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |