| GaN/VSe2范德瓦耳斯异质结电接触特性及调控效应 |
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| 引用本文： | 汤家鑫,李占海,邓小清,张振华.GaN/VSe2范德瓦耳斯异质结电接触特性及调控效应[J].物理学报,2023(16):223-234. |
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| 作者姓名： | 汤家鑫 李占海 邓小清 张振华 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61771076)；;湖南省自然科学基金(批准号:2021JJ30733)； |
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| 摘 要： | 降低金属-半导体界面的肖特基势垒并实现欧姆接触对于研发高性能肖特基场效应管非常重要.鉴于实验上已成功制备GaN及1T-VSe2单层,本文理论构建GaN/1T-VSe2异质结模型,并利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了其稳定性、肖特基势垒特性及其调控效应.计算的形成焓及淬火分子动力学模拟表明构建的异质结是稳定的.研究表明:本征异质结为p型肖特基接触,同时发现施加拉伸或压缩应变,异质结始终保持p型肖特基接触不变,没有出现欧姆接触.而施加外电场则不同,具有明显的调控效应,较高的正向电场能使异质结从肖特基接触转变为欧姆接触,较高的反向电场能导致p型肖特基接触转变为n型肖特基接触.特别是实施化学掺杂,异质结较容易实现由肖特基接触到欧姆接触的转变,例如引入B原子能使GaN/1T-VSe2异质结实现典型的欧姆接触,而C和F原子掺杂,能使GaN/1T-VSe2异质结实现准欧姆接触.这些研究对该异质结的实际应用提供了理论参考,特别是对于研发新型高性能纳米场效应管具有重要意义.
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| 关 键 词： | 范德瓦耳斯异质结 肖特基势垒 欧姆接触 物理调控 化学掺杂 |
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