| 类场矩诱导的可调零场自旋转移力矩纳米振荡器 |
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| 引用本文： | 郭晓庆,王强,薛海斌.类场矩诱导的可调零场自旋转移力矩纳米振荡器[J].物理学报,2023(16):244-252. |
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| 作者姓名： | 郭晓庆 王强 薛海斌 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学物理学院;2. 太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室;3. 太原师范学院物理系 |
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| 基金项目： | 山西省应用基础研究计划(批准号:20210302123184,201901D211425,201601D011015)；;山西省高等学校优秀青年学术带头人支持计划(批准号:163220120-S)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 自旋转移力矩纳米振荡器是一种直流驱动的新型纳米微波振荡器,因其易集成、尺寸小、频率调制范围宽等优点,成为未来射频收发器的理想器件.但是,自旋转移力矩纳米振荡器的稳定自激振荡需要外加磁场的条件限制了其应用.基于宏自旋模型(又称单自旋或单畴模型),利用Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程,理论上研究了类场矩和电流强度对垂直磁化的自由层磁矩的零场稳定自激振荡特性的影响.研究结果表明,当类场矩参数与自旋转移力矩参数的比值为负值且其绝对值大于某一数值时,自旋转移力矩纳米振荡器可以实现零场自激振荡,其物理机制可以通过能量平衡方程解释,并且这一临界比值依赖于该系统的阻尼系数和电流强度.尤其是,自旋转移力矩纳米振荡器的稳定自激振荡频率可以通过类场矩参数与自旋转移力矩参数的比值和电流强度的大小来调节,并且其类场矩的绝对值越大,施加的电流强度越小(大于临界电流强度),则越有利于抑制二次和三次自激振荡频率的形成,从而提高自旋转移力矩纳米振荡器的“单频”性.上述结果提供了一种实现频率可调的零场自旋转移力矩纳米振荡器的理论方案.
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| 关 键 词： | 自旋转移力矩纳米振荡器 类场矩 零场稳定振荡 |
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