V/Pd界面氢吸附扩散行为的第一性原理研究 |
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引用本文: | 张江林,王仲民,王殿辉,胡朝浩,王凤,甘伟江,林振琨.V/Pd界面氢吸附扩散行为的第一性原理研究[J].物理学报,2023(16):304-312. |
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作者姓名: | 张江林 王仲民 王殿辉 胡朝浩 王凤 甘伟江 林振琨 |
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作者单位: | 1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院;2. 广西科学院高性能材料研究所;3. 南宁职业技术学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:51961010,51901054); |
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摘 要: | 采用钒/钯(V/Pd)金属复合膜渗氢是从混合气体中分离氢气的一种有效实用方法.为深入地了解催化Pd层与金属膜结合处的界面结构与吸氢/渗氢特性的关联性,进而提升合金膜提纯氢气的能力,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了V/Pd金属复合膜界面的氢吸附/扩散行为.研究结果表明:由于V/Pd界面的电荷密度随着V/Pd成键而增加,导致氢原子(H)溶解能随着接近界面而增大,在V/Pd界面附近具有最高的溶解能(0.567 eV).氢迁移能垒计算表明,与H沿V/Pd界面水平扩散的最大能垒(0.64 eV)相比,H垂直V/Pd界面能垒(0.56 eV)更小,因而H倾向于垂直V/Pd界面进行迁移,并由Pd层扩散到V基体一侧,因V/Pd界面处Pd层的氢溶解能(0.238 eV)高于V膜侧(-0.165 eV),H将在界面的V膜侧积累,易引起氢脆.V基体掺杂Pd/Fe的计算表明,与未掺杂的能垒(0.56 eV)相比,掺杂Pd/Fe可明显地降低界面扩散路径中的最大能垒(0.45 eV/0.54 eV),利于氢的渗透扩散,且掺杂界面能一定程度抑制V和催化Pd层的相互扩散,提高复合膜的结构稳定性.
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关 键 词: | V/Pd界面 第一性原理 氢渗透性能 拉伸应变 |
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