| 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si |
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| 引用本文： | 郭莉莉,那 铎. 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si[J]. 中国无机分析化学, 2018, 8(1): 50-52 |
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| 作者姓名： | 郭莉莉 那 铎 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所，沈阳110016,中国科学院金属研究所，沈阳110016 |
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| 摘 要： | 采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究。总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067nm到Si 288.158nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大。经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定。方法检出限0.04μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9。样品加标回收率为100%~105%,相对标准偏差(n=8)小于2.0%。方法简便可靠,可获得满意的分析结果。
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| 关 键 词： | TB9钛合金 微量Si 电感耦合等离子体原子发射光谱法 |
| 收稿时间： | 2017-09-14 |
| 修稿时间： | 2017-10-18 |
Determination of Trace Silicon in TB9 Titanium Alloy by Inductively Coupled Plasma-atomic Emission Spectrometry |
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| GUO Lili and NA Duo. Determination of Trace Silicon in TB9 Titanium Alloy by Inductively Coupled Plasma-atomic Emission Spectrometry[J]. Chinese Journal of Inorganic Analytical Chemistry, 2018, 8(1): 50-52 |
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| Authors: | GUO Lili and NA Duo |
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| Affiliation: | Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences , Shenyang,Liaoning 110016, China and Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences , Shenyang,Liaoning 110016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TB9 titanium alloy trace Silicon inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry (ICP-AES) |
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