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三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定铕(Ⅲ)的研究
引用本文:方禹之,仝威,柏竹平,金利通.三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定铕(Ⅲ)的研究[J].分析化学,1988(4).
作者姓名:方禹之  仝威  柏竹平  金利通
作者单位:华东师范大学化学系 上海
摘    要:本文报道了三辛基氧化膦(TOPO)修饰旋转圆盘玻碳电极对痕量铕 (Ⅱ)的富集与测定的研究。在嚷吩甲酰三氟丙酮(HTTA),存在的HAc-NaAc底液中,由于协同络合作用,在电极表面形成Eu(TTA)3(TOPO)2三元络合物,从而将铕(Ⅱ)富集在电极表面。采用徽分脉冲阴极溶出伏安法,最低检出限可达0.01ng/ml,铕(Ⅱ)在0.04—2.60 ng/ml范围内与峰高成线性关系。

关 键 词:化学修饰电极  三辛基氧化膦修饰电极  痕量铕的测定  微分脉冲伏安法  阴极溶出伏安法
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