| 大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列 |
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| 引用本文： | 李忠辉,王玲,李梅,高欣,张兴德.大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列[J].固体电子学研究与进展,2002,22(3):255-256,264. |
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| 作者姓名： | 李忠辉 王玲 李梅 高欣 张兴德 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,130022 |
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| 摘 要： | 分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。
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| 关 键 词： | 分子束外延 阵列半导体激光器 分别限制 量子阱 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)03-255-02 |
High Power Array Semiconductor Laser Grown by MBE |
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| LI Zhonghui,WANG Ling,LI Mei,GAO Xin,ZHANG Xingde.High Power Array Semiconductor Laser Grown by MBE[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(3):255-256,264. |
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| Authors: | LI Zhonghui WANG Ling LI Mei GAO Xin ZHANG Xingde |
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| Abstract: | The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantun well structure has been grown by MBE. The experimental results show that wafer sample's quality has met the design requirement of GRIN SCH SQW array laser. The Q CW output power of array laser diodes comes up to 58 W ( t =200 μs, f =50 Hz) at the peak wavelength of 808 nm. |
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| Keywords: | MBE array semiconductor laser SCH QW |
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