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| 半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果 | |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。因此如何得到纯闪锌矿或者纯纤锌矿结构的 |
| 关 键 词： | 纳米线 纤锌矿结构 半导体 闪锌矿结构 纳米尺度 平面缺陷 表面能 稳定相 结构相变 晶体结构 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |