首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
化学
晶体学
力学
数学
物理学
学报及综合类
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
氧化Ⅲ族化合物半导体薄膜中的缺陷(一)
引用本文:
郝建民.氧化Ⅲ族化合物半导体薄膜中的缺陷(一)[J].电子材料快报,1996(3):13-14.
作者姓名:
郝建民
摘 要:
关 键 词:
氮化镓
氮化铝
氮化铜
缺陷
半导体薄膜
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号