| 氢化非晶硅在器件表面钝化工艺上的应用 |
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| 引用本文： | 毛友德,刘声雷.氢化非晶硅在器件表面钝化工艺上的应用[J].微电子学与计算机,1993,10(7):43-47. |
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| 作者姓名： | 毛友德 刘声雷 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学应用物理系，合肥工业大学应用物理系 安徽合肥 230009，安徽合肥 230009 |
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| 摘 要： | 氢化非晶硅具有半绝缘、富含氢和电中性等特点。本文概述了非晶硅的表面钝化工艺及其钝化效果,对其钝化机理也进行了讨论.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 器件 表面钝化 |
Application of Hydrogcnated Amorphous Silicon to Surface Passivation of Semiconductor Devices |
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| Mao Youdc,Liu Shenglci.Application of Hydrogcnated Amorphous Silicon to Surface Passivation of Semiconductor Devices[J].Microelectronics & Computer,1993,10(7):43-47. |
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| Authors: | Mao Youdc Liu Shenglci |
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| Abstract: | The a-Si:H films are scmi-insulativc, hydrogen -rich and clectricly neutral. The passivation technology, effects and passivation mechanism are expounded and discussed in this paper. |
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| Keywords: | a-Si:H Surface passivation Semiconductor divice |
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