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光学材料 光电功能材料
摘    要:O471.3 2006043660应变GaN量子点中激子态的研究=Exciton states instrained GaN/AlxGa1 -xN quantum dots刊,中]/戴宪起(河南师范大学物理与信息工程学院.河南,新乡(453007)) ,黄凤珍…∥功能材料.—2006 ,37(1) .—130-135利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1 -xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明,对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效…

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