| 硒铟镓银多晶材料的合成研究 |
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| 引用本文： | 朱伟林,朱世富,赵北君,黄毅,刘娟,徐承福,张建军,陈宝军,黎明.硒铟镓银多晶材料的合成研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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| 作者姓名： | 朱伟林 朱世富 赵北君 黄毅 刘娟 徐承福 张建军 陈宝军 黎明 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系 四川大学材料科学系 成都 |
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| 摘 要： | 根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.
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| 关 键 词： | AgGa_（1-x）In_xSe_2 多晶材料 机械和温度振荡 单晶生长 |
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