0.5W、2～21GHz单片砷化镓(GaAs)分布放大器

本文报导了用于分布放大器设计中的一个新的电路原理。这就是在栅极馈线上串连电容器来降低栅极的损耗。在总宽带输出功率和效率增加的情况下,它使放大器的栅极宽度大大地增加。用6×300μm场效应管的单片GaAs分布放大器已创造了这一记录:输出功率0.5W、在2～21GHz频带上具有至少4dB的增益,总功率效率是14%、在同一频带上线性增益是5±1dB。