| HgCdTe光导探测器的优化设计 |
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| 引用本文： | 辛志君.HgCdTe光导探测器的优化设计[J].红外技术,1991,13(3):4-10. |
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| 作者姓名： | 辛志君 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所 昆明 |
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| 摘 要： | 利用牛顿迭代法,在一维理论的基础上,计算机模拟优化设计了工作在8～14μm波段HgCdTe光导探测器的各项参数。结果表明,器件厚度取6μm,长度取100～150μm,环氧树脂胶粘层<3μm,净掺杂浓度取1.4×10~(15)cm~(-3),表面复合速度取500cm/s,电场强度取10V/cm为佳。该法亦可使用于其他光导探测器的优化设计中。
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| 关 键 词： | HgCdTe 光导探测器 红外探测器 |
Optimization of HgCdTe Photoconductive Detectors |
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| Xin Zhijun.Optimization of HgCdTe Photoconductive Detectors[J].Infrared Technology,1991,13(3):4-10. |
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| Authors: | Xin Zhijun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor device HgCdTe Infrared detector Photoconductive detector |
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