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GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法
作者姓名:刘海文  孙晓玮  程知群  车延峰  李征帆
作者单位:(1)上海交通大学电子工程系,上海 200030; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050; (3)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;上海交通大学电子工程系,上海 200030
基金项目:上海市科委AM基金(批准号:0109)资助的课题.
摘    要:提出了一种直接提取GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)小信号模型参数的新方法.该方法基 于HBT器件S参数的测试数据,对HBT的小信号模型进行电路网络分析,利用S,Z,Y参数关系 以及电路“抽出”的技巧,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取,建 立了一套完整的直接提取HBT小信号模型参数的新方法.与文献报道HBT小信号模型参数提取 的方法相比,该方法的优点是,提取过程具有简明清晰的物理意义,无需建立特殊的测试结 构,无需引入繁琐的数学优化过程,提取速度快,并且具有比较好的精度和较宽频带范围的 适用性等. 关键词: GaInP/GaAs HBT 参数提取 小信号模型

关 键 词:GaInP/GaAs HBT  参数提取  小信号模型
文章编号:1000-3290/2003/52(09)2298-06
收稿时间:2002-10-25
修稿时间:2002-10-25
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