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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验
作者姓名:
黄庆安
童勤义
吕世骥
作者单位:
东南大学微电子中心 南京210018(黄庆安,童勤义),东南大学微电子中心 南京210018(吕世骥)
摘 要:
研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.
关 键 词:
MESFET栅
取向效应
GaAs衬底
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