| 两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究 |
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| 引用本文： | 卢正启,柴春林,赖武彦.两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究[J].物理学报,2000,49(2):328-333. |
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| 作者姓名： | 卢正启 柴春林 赖武彦 |
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| 作者单位： | (1)北京科技大学应用科学学院,北京100083; (2)中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室,北京100080 |
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| 基金项目： | 中国科学院基金!(批准号 :KJ95 1 A1 40 1)，国家自然科学基金!(批准号 :19890 3 10 )资助的课题 |
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| 摘 要： | 采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～26%,交换耦合场～28kA/m,层间耦合场～01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))在低氩气压下沉积、上部(被钉扎层(NiFe)/反铁磁钉扎层(FeMn)/覆盖层(Ta))则在高氩气压下沉积.前者保证了自旋阀具有强(111)晶体织构,平整的NiFe/Cu界面和致密的Cu层,抑制了层间耦合作用;后者则促进小尺寸磁畴生长和增加NiFe/FeM
关键词：
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| 关 键 词： | 两步长 自旋阀 巨磁电阻效应 多层膜 |
| 收稿时间： | 1998-12-24 |
GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT IN SPIN VALVE MULTILAYERS BY TWO-STEP SPUTTER DEPOSITION |
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| LU ZHENG-QI,CHAI CHUN-LIN,LAI WU-YAN.GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT IN SPIN VALVE MULTILAYERS BY TWO-STEP SPUTTER DEPOSITION[J].Acta Physica Sinica,2000,49(2):328-333. |
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| Authors: | LU ZHENG-QI CHAI CHUN-LIN LAI WU-YAN |
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