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| MOS反型层中迁移率的测试技术 | |
| 引用本文： | 丁辛芳,于克南,徐一禾,黄金彪.MOS反型层中迁移率的测试技术[J].半导体技术,1985(1). |
| 作者姓名： | 丁辛芳 于克南 徐一禾 黄金彪 |
| 作者单位： | 南京工学院 (丁辛芳，于克南，徐一禾)，南京工学院(黄金彪) |
| 摘 要： | 本文提出了三种测量半导体表面迁移率的方法:(1)直流电导法;(2)交流电导法;(3)跨导法.并测量了半导体表面迁移率与栅压的依赖关系. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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