| SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现 |
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| 引用本文： | 张志浩,黄亮,余凯,章国豪.SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2015(3):246-252. |
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| 作者姓名： | 张志浩 黄亮 余凯 章国豪 |
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| 作者单位： | 广东工业大学 |
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| 摘 要： | 采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GHz时,SOI和pHEMT开关的插入损耗分别为0.41dB/0.65dB和0.27dB/0.52dB,隔离度分别为26.9dB/25.7dB和24.1dB/31.3dB。两个版本在输入功率为28dBm且频率为1.9GHz时,二次、三次谐波均小于-49dBm。
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| 关 键 词： | 双刀五掷射频开关 绝缘硅 高电子迁移率晶体管 插入损耗 隔离度 功率处理能力 |
Comparison and Implementation of DP5T Switches in SOI and pHEMT Technologies |
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| ZHANG Zhihao;HUANG Liang;YU Kai;ZHANG Guohao.Comparison and Implementation of DP5T Switches in SOI and pHEMT Technologies[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2015(3):246-252. |
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| Authors: | ZHANG Zhihao;HUANG Liang;YU Kai;ZHANG Guohao |
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| Institution: | ZHANG Zhihao;HUANG Liang;YU Kai;ZHANG Guohao;Guangdong University of Technology; |
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