| Sr0.955Al2-xBxSi2O8:0.025Eu2+荧光粉的制备、晶体结构及发光性能 |
| |
| 引用本文： | 王飞,田一光,张乔. Sr0.955Al2-xBxSi2O8:0.025Eu2+荧光粉的制备、晶体结构及发光性能[J]. 无机化学学报, 2019, 35(6): 1085-1092 |
| |
| 作者姓名： | 王飞 田一光 张乔 |
| |
| 作者单位： | 安徽三联学院实验中心, 合肥 230601;安徽大学化学化工学院, 合肥 230601,温州大学化学与材料工程学院, 温州 325035,温州大学化学与材料工程学院, 温州 325035 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.20771086）、安徽省教育厅重点项目（No.KJ2016A893）、安徽省高校优秀青年人才支持计划项目（No.gxyq2018126）、安徽三联学院科研项目（No.KJZD2018004，2015Z001，2013Z001）、安徽三联学院质量工程项目（No.15zlgc008，16zlgc060，17zlgc030）和国家级大学生创新创业项目（No.201710959055，201710959074，2018109050）资助。 |
| |
| 摘 要： | 通过高温固相反应在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xBxSi2O8：0.025Eu2+（x=0~0.9）一系列荧光粉，研究了B（Ⅲ）取代基质晶格中的Al（Ⅲ）对荧光粉晶体结构和Eu2+发光性能的影响。B（Ⅲ）以类质同相取代基质晶格中Al（Ⅲ），形成了连续固溶体。随着B（Ⅲ）取代量的增加，荧光粉的晶胞参数（a、b、c）和晶胞体积（V）呈线性递减，而晶胞参数（β）呈线性递增。荧光粉的激发光谱为位于225~400 nm的宽峰，表观峰值位于350 nm，激发峰的半高宽（FWHM）随着B（Ⅲ）取代量的增加，从90 nm减小到102 nm。发射光谱位于370~600 nm的宽峰，可拟合为409和447 nm两个峰，表观峰值位于409 nm。随着B（Ⅲ）取代量的增加，2个拟合峰位均出现蓝移且2个峰强度比呈线性递减。根据试样荧光光谱，通过Van Uitert经验公式计算得出SrAl2Si2O8：Eu2+中Sr2+的配位数为9。随着B（Ⅲ）取代Al（Ⅲ）进入基质晶格，造成发光中心Eu与配体O距离增加，使得Eu2+所处的晶体场强度减小，发光中心Eu2+的5d能级分裂减小，造成Eu2+最低发射能级重心上移，2个拟合谱峰峰位均呈线性蓝移。
|
| 关 键 词： | 荧光粉 SrAl2Si2O8:Eu2+ 硼置换 晶体结构 光谱特性 |
| 收稿时间： | 2018-12-27 |
| 修稿时间： | 2019-04-10 |
Synthesis, Crystal Structure and luminescent Properties of Sr0.955Al2-xBxSi2O8: 0.025Eu2+ Phosphors |
| |
| WANG Fei,TIAN Yi-Guang and ZHANG Qiao. Synthesis, Crystal Structure and luminescent Properties of Sr0.955Al2-xBxSi2O8: 0.025Eu2+ Phosphors[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2019, 35(6): 1085-1092 |
| |
| Authors: | WANG Fei TIAN Yi-Guang ZHANG Qiao |
| |
| Affiliation: | Experimental Center of Anhui Sanlian University, Hefei 230601, China;College of Chemistry and Chemical Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China,College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang 325035, China and College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang 325035, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《无机化学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机化学学报》下载全文 |
|
