| 晶体生长的缺陷机制 |
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| 引用本文： | 王继扬.晶体生长的缺陷机制[J].物理,2001,30(6):332-339. |
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| 作者姓名： | 王继扬 |
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| 作者单位： | 王继扬（山东大学晶体材料国家重点实验室济南
250100） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目 |
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| 摘 要： | 晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来，闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上，他们发展了晶体生长的位错机制（包括刃位错和混合位错机制），层错机制，孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论：任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献，这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶（亚台阶），近年来，P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理，在大量实验事实和理论分析的基础上，他们认为亚台阶理论（称作闵氏理论）不仅可适用于溶液生长，也适用于气相生长的机理研究；不仅适于作理论分析，而且可用于寻求最佳生产条件的指导，亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论，文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。
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| 关 键 词： | 晶体生长 生长机制 缺陷 台阶源 台阶 位错 层错 孪晶 协同 |
| 修稿时间： | 2000年6月13日 |
DEFECT MECHANISM OF CRYSTAL GROWTH |
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| WANG Ji Yang.DEFECT MECHANISM OF CRYSTAL GROWTH[J].Physics,2001,30(6):332-339. |
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| Authors: | WANG Ji Yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crystal growth mechanism defects |
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