| 大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷 |
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| 引用本文： | 余学功,杨德仁,马向阳,阙端麟.大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷[J].微纳电子技术,2001,38(3):33-38. |
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| 作者姓名： | 余学功 杨德仁 马向阳 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目资助 |
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| 摘 要： | 空洞型 ( Void)原生缺陷在大直径直拉硅单晶中的重要性日渐突出。本文在论述大直径硅单晶中 Void缺陷基本性质的同时 ,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素 (氧、氮、碳、氢 )杂质的相互作用 ,并简要讨论了关于 Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。
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| 关 键 词： | 空位团 原生缺陷 杂质 晶体生长 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)03-0033-06 |
| 修稿时间： | 2001年1月8日 |
Void-type defects in large diameter czochralski silicon crystals |
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| YU Xue-gong,YANG De-ren,MA Xiang-yang,QUE Duan-lin.Void-type defects in large diameter czochralski silicon crystals[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(3):33-38. |
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| Authors: | YU Xue-gong YANG De-ren MA Xiang-yang QUE Duan-lin |
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| Abstract: | The as-grown Void-type defects have received intensive attentions due to their effects on the quality of large diameter Czochralski silicon crystals.This paper is an overview on the properties of Void-type defects,the control of the defects and the interactions between Void-type defects and light element impurities including oxygen,nitrogen,carbon,hydrogen.Furthermore,the important issues on the further investigations of Void-type defects are pointed out in this paper. |
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| Keywords: | void grown-in defects impurity crystal growth |
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