| (110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱 |
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| 引用本文： | 程文芹,刘双,周均铭,刘玉龙,朱恪. (110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱[J]. 物理学报, 1993, 42(9): 1529-1531 |
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| 作者姓名： | 程文芹 刘双 周均铭 刘玉龙 朱恪 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,北京100080;中国科学院物理研究所,北京100080;中国科学院物理研究所,北京100080;中国科学院物理研究所,北京100080;中国科学院物理研究所,北京100080 |
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| 摘 要： | 测量了含碳量高低不同的(110)取向的调制掺杂GaAs-Al0.3Ga0.7As单异质结在4.2K下的光致荧光谱。在含碳量高的样品中,出现了强的沟道二维电子到受主的复合荧光峰;而在含碳量很低的样品的光致荧光中则只出现体GaAs的荧光峰。
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| 收稿时间： | 1992-09-08 |
PHOTOLUMINESCENCE OF (110) MODULATION-DOPED GaAs-AlGaAs HETEROSTRUCTURES |
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| CHENG WEN-QIN,LIU SHUANG,ZHOU JUN-MING,LIU YU-LONG and ZHU KE. PHOTOLUMINESCENCE OF (110) MODULATION-DOPED GaAs-AlGaAs HETEROSTRUCTURES[J]. Acta Physica Sinica, 1993, 42(9): 1529-1531 |
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| Authors: | CHENG WEN-QIN LIU SHUANG ZHOU JUN-MING LIU YU-LONG ZHU KE |
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| Abstract: | The photoluminescence spectra of (110) modulation-doped GaAs-AlGaAs het-erostructures grown under high and low carbon background were measured at 4.2K. For high carbon specimen the luminescence peak from the recombination of 2D electrons in channel with holes bound to neutral acceptors was observed, while for low carbon specimen only lines related to bulk GaAs were observed. |
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