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HL-1M装置逃逸电子输运系数的研究
引用本文:郑永真,齐昌炜,丁玄同,郦文忠. HL-1M装置逃逸电子输运系数的研究[J]. 核聚变与等离子体物理, 2002, 22(2): 90-94
作者姓名:郑永真  齐昌炜  丁玄同  郦文忠
作者单位:核工业西南物理研究院,成都,610041
摘    要:采用磁扰动实验和稳态实验等四种不同方法获得某些局域的逃逸扩散系数Dr。利用等离子体快速移动实验,测量了孔栏上硬X射线通量的变化,获得了边缘扩散系数,利用软X射线强度和硬X射线通量信号的锯齿振荡峰值延迟时间得出了径向平均扩散系数,用微波辐射强度和硬X射线通量信号的锯齿振荡 峰值延迟时间,获得了径向位置某处到孔栏之间的平均扩散系数。用来自孔栏上的韧致辐射谱求出逃逸电子的平均能量,得玻逃逸约束时间和径向平均扩散系数,实验中还得到了逃逸电子扩散系数的径向近似分布和内部磁扰动的径向分析。

关 键 词:扩散系数 内部磁涨落 托卡马克装置 约束 等离子体 HL-1M装置 逃逸电子 输运系数
文章编号:0254-6086(2002)02-0090-05
修稿时间:2001-03-12

RUNAWAY ELECTRON TRANSPORT STUDIES IN THE HL-1M
ZHENG Yong zhen,QI Chang wei,DING Xuan tong,LI Wen zhong. RUNAWAY ELECTRON TRANSPORT STUDIES IN THE HL-1M[J]. Nuclear Fusion and Plasma Physics, 2002, 22(2): 90-94
Authors:ZHENG Yong zhen  QI Chang wei  DING Xuan tong  LI Wen zhong
Abstract:
Keywords:Runaway electron transport  Diffusivity  Intrinsic magnetic fluctuation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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