| 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析 |
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| 引用本文： | 郭亮良,冯 倩,郝 跃,杨 燕. 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析[J]. 物理学报, 2007, 56(5): 2895-2899 |
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| 作者姓名： | 郭亮良 冯 倩 郝 跃 杨 燕 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所， 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室， 西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所， 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室， 西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所， 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室， 西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所， 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室， 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究发展计划(973)(批准号：51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题. |
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| 摘 要： | 就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN， HEMT， 场板， 击穿电压 |
Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT |
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| Guo Liang-Liang,Feng Qian,Hao Yue and Yang Yan. Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(5): 2895-2899 |
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| Authors: | Guo Liang-Liang Feng Qian Hao Yue Yang Yan |
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| Abstract: | Fabrication and the characteristics at room temperature of FP-HEMT are reported, followed by a comparison of the actual characteristics with the conventional HEMT. With the incorporation of field plate, the breakdown voltage was enhanced from 52 to 142V.Comparison between AlGaN/GaN FP-HEMT and the conventional HEMT are also made, using Silvaco, as the simulation tool. The effect of enhancing the breakdown voltage is also investigated. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT field plate breakdown voltage |
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