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液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究
引用本文:李毅,易新建,蔡丽萍.液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究[J].物理学报,2000,49(1):132-136.
作者姓名:李毅  易新建  蔡丽萍
作者单位:华中理工大学光电工程系,武汉 430074
摘    要:利用X射线光电子谱对液相外延HgCdTe薄膜表面氧化特性进行了 研究,对经不同工艺过程处理的HgCdTe表面进行了测量、分析,结果表明碲镉汞表面经溴 无水乙醇溶液腐蚀后,再用乳酸 乙二醇溶液对表面进行处理,可获得氧化物极少甚至无氧 化的HgCdTe表面.说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性.  关键词

关 键 词:碲镉汞薄膜  表面氧化特性  光电子能谱

Study on the Oxidative Characterization of Lpe HgCdTe Film Surface by XPS
LI YI,YI XIN-JIAN,CAI LI-PING.Study on the Oxidative Characterization of Lpe HgCdTe Film Surface by XPS[J].Acta Physica Sinica,2000,49(1):132-136.
Authors:LI YI  YI XIN-JIAN  CAI LI-PING
Abstract:
Keywords
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