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| K3C60晶体中的电子屏蔽效应 | |
| 引用本文： | 刘红,陈宗璋,彭景翠,白晓军.K3C60晶体中的电子屏蔽效应[J].物理学报,2000,49(3):409-414. |
| 作者姓名： | 刘红 陈宗璋 彭景翠 白晓军 |
| 作者单位： | 湖南大学化学化工学院,长沙410082;湖南大学化学化工学院,长沙410082;湖南大学化学化工学院,长沙410082;广东工业大学材料系,广州510090 |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研基金!(批准号 :945 3 2 0 1)资助项目 |
| 摘 要： | 用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要
关键词： |
| 关 键 词： | K3C60晶体 电子屏蔽效应 钾离子 晶体结构 |
| 收稿时间： | 1999-05-23 |
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