| AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离 |
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| 引用本文： | 程知群,孙晓玮,夏冠群,李洪芹,盛怀茂,钱蓉.AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离[J].物理学报,2000,49(2):375-378. |
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| 作者姓名： | 程知群 孙晓玮 夏冠群 李洪芹 盛怀茂 钱蓉 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家“九五”攻关!(批准号 :97 773 0 3 0 1)资助的课题 |
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| 摘 要： | 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
关键词：
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| 关 键 词： | AlGaInP／GaAs 异质结比极型晶体管 质子注入隔离 |
| 收稿时间： | 1999-06-13 |
| 修稿时间： | 8/2/1999 12:00:00 AM |
PROTON IMPLANT ISOLATION OF AlGaInP/GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES IN FABRICATION |
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| CHENG ZHI-QUN,SUN XIAO-WEI,XIA GUAN-QUN,LI HONG-QIN,SHENG HUAI-MAO,QIAN RONG.PROTON IMPLANT ISOLATION OF AlGaInP/GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES IN FABRICATION[J].Acta Physica Sinica,2000,49(2):375-378. |
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| Authors: | CHENG ZHI-QUN SUN XIAO-WEI XIA GUAN-QUN LI HONG-QIN SHENG HUAI-MAO QIAN RONG |
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Keywords： |
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